Исследованы основные типы дефектов, возникающих в эпитаксиальных слоях при выращивании из металлоорганических соединений (МОС) методом плазмостимулированного разложения. Показано, что вариацией состава и давления компонент МОС и газа-носителя возможно управление типом проводимости и концентрацией дефектов. Микровключения ртути и ее испарение с поверхности - основные причины временной нестабильности слоев туллуридов кадмия-ртути (КРТ). Включения рассасываются при отжиге. Возможность ухода ртути с поверхности слоя устраняется выращиванием на ней пассивирующего слоя CdTe, что обеспечивает получение высокостабильных слоев КРТ.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 1, 2000 г.