Представлены результаты комплексного изучения влияния протонного облучения в двух режимах и температуры последующего отжига на обратную ветвь ВАХ pin-фотодиодов на основе высокоомного p-Si (облучалась периферия планарных n⁺-p-переходов), а также на профили распределения удельного сопротивления, толщину дефектного слоя и среднюю относительную деформацию кристаллической решетки вблизи поверхности кристаллов. Обнаружено формирование дефектного слоя с компенсированной проводимостью в области пробега протонов непосредственно после облучения, а также после отжига при температурах до 200 °С включительно. После отжига при температуре 250-300 °С удельное сопротивление этого слоя падает ниже исходного значения, а под ним образуется компенсированная область. Отжиг при более высоких температурах восстанавливает свойства исходного кристалла. На основе этих данных расширена интерпретация результатов работы.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 1, 2000 г.