Ионно-легированные диодные структуры
на основе n-кремния, изготовленные
в условиях серийного производства

В. П. Астахов, Д. А. Гиндин, Е. Ф. Карпенко, В. В. Карпов,
Т. М. Соколова, К. В. Сорокин

ОАО "Московский завод "Сапфир"", Москва, Россия

Представлены результаты исследований прямых и обратных ветвей вольт-апмперных характеристик (ВАХ) планарных ионно-легированных р+nn+-структур на основе кремния n-типа проводимости с различным уровнем удельного сопротивления. Показано, что для таких структур определяющее влияние на ВАХ оказывает качество обработки поверхности исходных пластин, а имплантация периферии планарных р+n-переходов ионами N2+ c энергией 100 кэВ и дозами выше 1016 см-2 является эффективным средством устранения влияния поверхности на их ВАХ, приближая и прямую, и обратную ветви к "идеальным". При этом ВАХ ионно-легированных структур стано- вятся соответствующими ВАХ диффузионных аналогов, изготовляемых в условиях производства ОАО "Московский завод "Сапфир"".

Содержание