В. П. Астахов, Д. А. Гиндин, Е. Ф. Карпенко, В. В. Карпов,
Т. М. Соколова, К. В. Сорокин
ОАО "Московский завод "Сапфир"", Москва, Россия
Представлены результаты исследований прямых и обратных ветвей вольт-апмперных характеристик (ВАХ) планарных ионно-легированных р+nn+-структур на основе кремния n-типа проводимости с различным уровнем удельного сопротивления. Показано, что для таких структур определяющее влияние на ВАХ оказывает качество обработки поверхности исходных пластин, а имплантация периферии планарных р+n-переходов ионами N2+ c энергией 100 кэВ и дозами выше 1016 см-2 является эффективным средством устранения влияния поверхности на их ВАХ, приближая и прямую, и обратную ветви к "идеальным". При этом ВАХ ионно-легированных структур стано- вятся соответствующими ВАХ диффузионных аналогов, изготовляемых в условиях производства ОАО "Московский завод "Сапфир"".