Численное моделирование электронного
переноса в полупроводниковом
автоэмиттере

В. А. Федирко
Московский государственный технологический университет "Станкин", Москва, Россия

С. В. Поляков
Институт математического моделирования РАН, Москва, Россия

Представлены параллельный численный алгоритм и результаты вычислительного эксперимента по исследованию электронного переноса в кремниевом автоэмиттере. Показано, что в области рабочих полей ток эмиссии определяется горячими электронами. Развитые методы могут быть применены для моделирования вакуумной микроячейки реального массива полупроводниковых полевых эмиттеров устройств вакуумной микроэлектроники.

Содержание