Т. А. Гришина
Государственное предприятие "Научно-исследовательский институт
электронной и ионной оптики", Москва, Россия
В. Ю. Гришина
Институт ядерных исследований РАН, Москва, Россия
Представления электронно-оптической аппроксимации теории дифракционного взаимодействия электронов с периодическим полем кристаллической решетки, сформулированные в работах [1] и [2], применены для расчета и анализа расчетных профилей интенсивности полос равной толщины и кривых качания. Результаты анализа использованы для объяснения происхождения эффектов аномальной абсорбции, наблюдаемых при исследовании монокристаллических объектов методами просвечивающей электронной микроскопии.