Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК-области

А. Ш. Абдинов, М. А. Джафаров, Р. Ф. Бабаева, Э. Ф. Насиров, Г. М. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Азербайджан

Пленки Cd1-xZnxSe, осажденные из раствора, отличаются высокой фоточувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра. В представленной работе приводятся результаты высокотемпературной индуцированной собственной подсветкой фотопроводимости (ИФП) пленок Cd1-xZnxSe (0 <= х <= 0,6) в области 2,5—3 мкм. Пленки Cd1-xZnxSe получены на ситалловых подложках химическим осаждением из водного раствора, содержащего хлориды кадмия, цинка и тиомочевину. Пленки подвергали термической обработке на воздухе при температурах 400—500 °С в течение 0—30 мин. Квазилинейные спектры ИФП примыкают к зоне соответствующей примесной полосы со стороны высоких энергий. На спектре ИФП наблюдаются узкие полосы, полуширина которых равна DЕ = 0,03—0,04 эВ. С ростом уровня индуцирующего фотовозбуждения наблюдается "деформация" спектра ИФП, которая проявляется в спектральном сдвиге максимума полос в области высоких энергий. Величина "фиолетового" сдвига ИФП равна D Е = 0,03 эВ, а "красного" смещения низкотемпературного края — 0,05 эВ. Величина этих эффектов определяется природой многоуровневых ассоциатов, с которыми связаны оптически активные центры прилипания электронов. Интенсивность ширины полосы ИФП с hv0 = 0,3 эВ в низкотемпературной области слабо зависит от температуры, что свидетельствует о зонно-примесном характере ионизации соответствующих изолированных донорных центров. Изолированные доноры характеризуются уровнем Е = 0,29—0,32 эВ и сечением захвата Sn = (2—4)·10 –17 м2. Участие их названных ассоциатов обеспечивает появление системы оптически активных электронных состояний, расположенных в интервале энергий 0,3—0,6 эВ, обусловливающих высокотемпературную устойчивую фоточувствительность пленок Cd1-xZnxSe в ИК-области. Показано, что изучаемые пленки Cd1-xZnxSe могут быть использованы в качестве простых и дешевых элементов памяти оптической записи, преобразователей информации видимый свет — ИК-излучения.

Содержание