Фотоприемники ИК-излучения на основе пленок CdS1-xSex, осажденных из раствора

А. Ш. Абдинов, М. А. Джафаров, Н. М. Мехтиев, Г. М. Мамедов, Э. Ф. Насиров
Бакинский государственный университет, г. Баку, Азербайджан

Интенсивное развитие твердотельной электроники стимулирует исследования физических свойств сложных полупроводников с различной степенью дефектности. Пленки CdS1-xSex (0 <= х <= 0,4), осажденные из раствора, отличаются простотой технологии, высокой воспроизводимостью и разнообразием фотоэлектрических свойств. Работа посвящена изучению электроиндуцированной примесной фотопроводимости (ЭИПФ) пленок CdS1-xSex в инфракрасном диапазоне (2—6 мкм) длин волн при комнатной температуре. Рентгенофазовый анализ позволял определить состав и судить о гомогенности этих пленок. Пленки имели гексагональную структуру и их подвергали термической обработке на воздухе при температуре 500 К в течение 30 мин. ВАХ таких пленок содержит показатели, свойственные инжекционным токам с участками линейного, квадратичного и более быстрого роста тока от напряжения. Степень их проявления зависит от температуры, собственного и примесного фотовозбуждения, которые оказывают стимуляционные воздействия на прохождение токов. С помощью инжекционных токов стало возможным достичь температурно-устойчивое неравновесное очувствление пленок CdS1-xSex, которые по своим спектральным и кинетическим характеристикам соответствуют обычной индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ). Величина ЭИПФ линейно зависит от уровня инжекционного тока. Обнаружен ступенчатый сдвиг-e красного края ЭИПФ в области малых энергий в зависимости от величины приложенного поля или от уровня инжекционного тока. e-сдвиг ЭИПФ — результат последовательного заполнения глубоких оптически активных центров прилипания (ЦП) инжектированных носителей заряда. Наличие e-сдвига — важное свидетельство принадлежности этих центров прилипания к пространственно-раздельным дефектам, контролирующимся технологическим режимом осаждения и термической обработкой пленок. Пленки CdS1-xSex могут быть использованы в качестве базовых элементов фотоприемников в первом "окне прозрачности" атмосферы.

Содержание