М. А. Джафаров
Бакинский государственный университет, г. Баку, Азербайджан

Фотоприемники продольного типа изготовлены на основе тонких слоев CdSe:Cu, полученных методом химического осаждения из раствора. В качестве первого электрода на стеклянные подложки предварительно нанесено сплошным слоем In₂O₃. Для активации образцов в раствор добавили CuCl, и проводили отжиг в шихте CuCl при температуре 350—400 °С в течение 5—30 мин. Проведены исследования темновой и световой проводимостей, спектр и кинетика фотопроводимости CdSe. Анализ вольт-амперной характеристики (ВАХ) структуры In₂O₃-CdSe был проведен на обобщенной аппрокцимированной теории инжекционно-контактных явлений в полупроводниках. Определены объемная n₀ и приконтактная n_k концентрации носителей заряда, концентрация центров рекомбинации N_цр и прилипания, край поглощения и коэффициент пропускания, область и максимум спектральной зависимости фототока, время жизни неравновесных и неосновных носителей заряда. Темновая ВАХ структуры In₂O₃-CdSe:Cu сублинейна, а световая ВАХ — сверхлинейна, что и обусловливает стимуляцию чувствительности при увеличении напряжения. Исследованы спектр поглощения и фотопроводимости отожженных образцов CdSe и легированных медью CdSe:Cu. Установлено, что доминирующую роль в формировании оптических спектров играют состояние поверхности и наличие фазового перехода в них. Для отожженных образцов край поглощения соответствует кубической модификации, и в области прозрачности наблюдается широкая размытая полоса, которая накладывается на край собственного поглощения монокристаллического CdSe. Пленки CdSe:Cu, полученные методом химического осаждения, отличаются высокой воспроизводимостью, фоточувствительностью с r ~ 10⁹—10¹⁰ мкм, оптической прозрачностью > 60 %, являющимися важными факторами для создания преобразователей ИК-изображения.

Содержание