М. М. Тагиев
Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, г. Баку

Получены и исследованы высокоэффективные и достаточно прочные материалы на основе твердого раствора Вi₈₅Sb₁₅, легированные примесями Pb. Показано, что с ростом степени легирования значение добротности Z сперва растет до 0,005 ат. % Pb и при этой концентрации достигает значения ~5,0·10^–3 К^–1 при ~200 К, а затем уменьшается. В магнитном поле наибольшее значение Z р-типа имеет образец, легированный 0,05 ат. % Pb, Z которого достигает значений ~0,84·10^–3 К^–1 при ~80 К.

Содержание