Э. Ю. Салаев, И. Р. Нуриев, Х. Д. Джалилова, Н. В. Фараджев
Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан

Исследован край оптического поглощения эпитаксиальных пленок Pb_1-xSn_xSe (х = 0,07), легированных индием, в количестве N_In <= 0,8 мас. %. Наблюдаемый сдвиг края собственного поглощения в сторону коротких длин волн интерпретируется наличием уровня индия, находящегося у края зоны проводимости, приводящей, по-видимому, к некоторому увеличению ширины запрещенной зоны Е_g в Pb_1-xSn_xSe. Установлено, что в области слабого поглощения край междузонного поглощения в Pb_1-xSn_xSe обусловлен непрямыми оптическими переходами и описывается кривой (E)^½=f(E). Вычислены величины Е_g и dЕ_g/dT.

Содержание