Оптические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe

Э. Ю. Салаев, И. Р. Нуриев, Х. Д. Джалилова, Н. В. Фараджев
Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан

Исследован край оптического поглощения эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe (х = 0,07), легированных индием, в количестве NIn <= 0,8 мас. %. Наблюдаемый сдвиг края собственного поглощения в сторону коротких длин волн интерпретируется наличием уровня индия, находящегося у края зоны проводимости, приводящей, по-видимому, к некоторому увеличению ширины запрещенной зоны Еg в Pb1-xSnxSe. Установлено, что в области слабого поглощения край междузонного поглощения в Pb1-xSnxSe обусловлен непрямыми оптическими переходами и описывается кривой (E)½=f(E). Вычислены величины Еg и dЕg/dT.

Содержание