Метастабильное поведение вольт-амперной характеристики р—n-переходов на основе CdHgTe

О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов, Н. А. Ярыкин
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка Московской обл., Россия

Исследованы n+-р-переходы, изготовленные в кристаллах Сd0,4Hg0,6Te р-типа с помощью ионной имплантации. Обнаружено, что обратный ток р-n-перехода при температуре жидкого азота существенно зависит от условий охлаждения образца от комнатной температуры: при охлаждении без смещения наблюдается состояние с малым обратным током, в случае охлаждения с обратным смещением обратный ток в десятки раз больше. Состояния устойчивы при азотной температуре; обратимый переход между состояниями достигается выдержкой при комнатной температуре и последующим охлаждением в соответствующих условиях. Исследование структур методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) показало, что изменения обратного тока сопровождаются перестройкой спектра глубоких уровней (ГУ) и могут быть связаны с наличием метастабильных глубоких центров. Изучена кинетика метастабильного перехода. Показано, что наблюдаемые кинетические зависимости удовлетворительно объясняются уширением энергии активации перехода вследствие локальной неоднородности состава твердого раствора.

Содержание