А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий
Сибирский физико-технический институт, г. Томск, Россия

Исследовано влияние неоднородностей распределения темнового сопротивления полупроводника в приповерхностном слое и поверхностного потенциала на интегральные и локальные свойства МДП-фотодетекторов.

Содержание