Ф. Н. Казиев, Ш. М. Кулиев, Э. Ю. Салаев
Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, г. Баку, Азербайджан

Теоретически и экспериментально исследовалась зависимость фотоэлектрических параметров неохлаждаемых фоторезисторов на основе Cd_xHg_1-xTe (х = 0,24) от степени легирования полупроводникового материала. Показано, что оптимальное акцепторное легирование позволяет заметно увеличить (примерно в три раза) вольтовую чувствительность фоторезистора. Обнаружительная способность, ограниченная тепловыми шумами, также возрастает. Дополнительное повышение чувствительности достигается созданием специальным образом выполненных узких зазоров в фотоприемной площадке. Приведены фотоэлектрические параметры изготовленных неохлаждаемых фоторезисторов для диапазона спектра 2—6 мкм.

Содержание