Анализ процесса восстановления запирающих свойств p+-n-n+-диодов в режимах быстрой коммутации

Прикладная физика
№ 4, 2001

Анализ процесса восстановления запирающих свойств p⁺-n-n⁺-диодов в режимах быстрой коммутации

А. В. Конюхов, Ю. М. Локтаев, В. Я. Павлик, Ю. А. Чесноков
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина", Москва, Россия

На основе решения краевой задачи с квадратичной нелинейностью в граничных условиях определены моменты восстановления p-n-переходов. Величины выбросов обратного тока I_rm стремятся к насыщению при скоростях спада dI_F/dt ~ 400-500 A/см²·мкс. Показано, что спад тока от максимальной величины I_rm может носить характер затухающих по амплитуде колебаний.

Содержание