П. Г. Дерменжи
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина", Москва, Россия

   Из-за отсутствия технологической шунтировки катодных эмиттерных p-n-переходов высокая стойкость силовых запираемых тиристоров (СЗТ) к эффекту du/dt обеспечивается путем внешнего шунтирования указанных переходов резистором R_G с приложением (иногда без приложения) обратного напряжения U_RG. Получено аналитическое выражение, позволяющее рассчитать максимально допустимое значение R_G в зависимости от U_RG и требуемой стойкости к эффекту du/dt при известных значениях электрофизических и конструктивных параметров p-n-p-n-структур СЗТ.

Содержание