Прикладная физика
№ 4, 2001

Мощные высокотемпературные кремниевые резисторы таблеточного исполнения

С. С. Асина, Д. Ю. Беккерман
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина", Москва, Россия

   Представлены результаты исследования возможности повышения максимально допустимой температуры (Trm) мощных кремниевых резисторов и, как следствие, увеличение номинальной мощности с помощью согласования режимов радиационно-технологического процесса с исходными электрофизическими параметрами резистивных элементов. По результатам исследований разработана технология электронного облучения и отжига, позволившая повысить максимально допустимую температуру ранее разработанных резисторов со 125 °C до 140-200 °C.

Содержание