Разработка высокочастотного дифференциального усилителя для применения в ФПУ на основе кремниевых p-i-n фотодиодов
В.К. Борисов, С.С. Демидов, П.А. Кузнецов, Е.А. Климанов, В.В. Лебедев, Л.Д. Сагинов, С.С. Хромов, С.В. Щукин
Государственный Исследовательский Центр "НПО "Орион", Москва, РоссияОписана схемотехника и технология изготовления высокочастотного дифференциального усилителя с полевыми транзисторами на входе, являющегося функциональным аналогом микросхемы Б1137ХА1-1.