Б.С. Соколовский, В.К. Писаревский
Институт прикладной физики
Львовского национального университета им. Ив. Франко, Львов, Украина

   В работе получено аналитическое выражение для темновых вольт-амперных характеристик (ВАХ) фотодиода с гетеропереходом в базовой области. Показано, что пространственная неоднородность ширины запрещенной зоны в базовой области позволяет значительно уменьшить обратный ток, связанный с термической генерацией носителей как в базовой области, так и на контакте. В случае, когда широкозонный слой удален от металлургической границы p-n-перехода на расстоянии порядка толщины области объемного заряда, на обратной ветви ВАХ возможно появление участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Содержание