В.П. Астахов

ОАО "Московский завод "Сапфир", Москва, Россия

В.С. Туловчиков, В.А. Перевощиков, Е.С. Жарков, А.В. Резвов

Нижегородский госуниверситет им. Н..И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

А.И. Мурель

Институт физики микроструктур РАН, Москва, Россия

   Приводятся результаты исследований электрофизических свойств монокристаллического InSb при различных уровнях радиоционных и термических воздействий, а также планарных приборных структур, сформированных имплантацией ионов Mg⁺, Be⁺ с использованием собственных анодных окислов и пленок на основе оксида кремния.
   Рассмотрены условия легирования InSb ионами Mg⁺, Be⁺, обеспечивающие высокую электрическую активность акцепторов и низкий уровень радиоционных повреждений при наименьшей температуре отжига (Т_отж). При этом учитывалась специфика свойств реальных кристаллов, предыстория обработки поверхности и уровень их структурного совершенства. Установлено, что наиболее совершенные кристаллы характеризуются максимальным свеллингом, вызывающим деградацию структуры материала в пределах пробега иона. Анализ опыта изготовления многоэлементных структур на InSb показал критичность традиционно используемых технологических приемов с точки зрения структурных возможностей монокристалла. Результаты работьы позволяют обосновать ряд новых подходов в создании ионно-планарных матричных ИК-приемников на узкозонных полупроводниках.

Содержание