Изготовлены капсулы планарных фотодиодных фоточувствительных элементов на InSb с измененными условиями формирования защитной анодной окисной пленки (заменен электролит) в гальваностатическом режиме, соответствующем базовому. Проведено изучение вольт-амперных характеристик таких капсул и их стойкости к прогревам в сравнении с капсулами, изготовленными по серийной технологии. Показано,что по пробивному напряжению экспериментальные капсулы на 20-25 % уступают серийным , однако они выдерживают более высокотемпературный прогрев (170-175°С по сравнению со 120-125°С для серийных капсул). Для всех изучавшихся капсул характерно наличие эффекта электротренировки, который увеличивает пробивное напряжение U_проб на ~1В.Изучено влияние дополнительной (второй) стадии анодного окисления (АО) с пониженными токами на свойства пленки и показано, что такая стадия повышает U_проб пленки и его равномерность по площади поверхности пластины. Целесообразность применения такой пленки будет определена после ее опробывания в фотодиодах и изучения их характеристик.

Содержание