Формирование термостойких анодных окисных пленок и их использование для изготовления фотодиодов на InSb

А.И. Талимов, И.Ю. Филиновский

ОАО "Московский завод "Сапфир", Москва, Россия

А.Г. Титов

Государственное унитарное предприятие "НПО "Орион", Москва, Россия

На основе анализа процессов формирования анодных окисных пленок на антимонаде индия предложена методика получения однородных термостойких защитных покрытий с повышенными напряжениями пробоя. В предлагаемой методике анодирование велось в гальваностатическом режиме с программируемым изменением анодного тока. Электролитом служил обезвоженный раствор персульфата аммония.Сравнение фотоэлектрических параметров капсул планарных фотодиодов, изготовленных с применением преложенной методики и аналогичного базавого процесса, показало перспективность применения этой методики для повышения термостойкости фотодиодов на InSb.

Содержание