Особенности токопрохождения в реальных диодах Шоттки

Р.К.  Мамедов

Бакинский Государственный Университет, г.Баку, Азербайджанская Республика

Получено, что общая контактная поверхность РДШ состоит из двух областей (периферийной с шириной несколько микрометров и относительно внутренней) на которых высота потенциального барьера отличается около 40 мэВ для прямой и начальной обратной ветвей ВАХ. Определены высота потенциального барьера, коэффициент неидеальности, контактное сопротивление, площадь и ширина периферийной контактной поверхности, вклад периферийного тока в ток общего контакта для прямой ветви ВАХ, первого начального участка и за ним следующего второго участка обратной ветви ВАХ РДШ.

Содержание