Г. А. АракеловА

Государственный научный центр Российской Федерации ГУП "НПО "Орион", Москва, Россия.

Технический уровень фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (ФЭПП) с термоэлектрическими охладителями (ТЭО) в основном определяется двумя факторами: добротностью Z применяемых термоэлектрических материалов (ТЭМ) и степенью конструкторско-технологического совершенства как ТЭО в отдельности, так и ФЭПП в целом. Исследования сверхрешеток с квантовыми ямами позволили реализовать Z в 3-4 раза больше, чем у известных ТЭМ на базе Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ . В плане конструкторско-технологической оптимизации рассматриваемых изделий в настоящее время предпочтение завоевали многоплощадочные вакуумные ФЭПП на базе многокаскадных микроминиатюрных ТЭО.

Содержание