Прикладная физика
N 6, 2002

Влияние режимов ионного травления на параметры фоторезисторов из CdHgTe.

А.В. Филатов, В.И Лукша, Г.Э. Поповян, Ю.С. Трошкин, Ю.П. Шаронов
ГНЦ РФ ГУП« НПО «Орион», Москва, Россия

   Исследовалось влияние ионного травления при температуре жидкого азота на эффективное время жизни носителей заряда в толстых (~ 1 мм) и тонких (~ 0,01 мм) образцах CdHgTe n-типа проводимости. Получено, что использование в технологии фоторезисторов ионного травления при криогенных температурах позволяет снизить скорость рекомбинации на боковых гранях фоточувствительных элементах и за счет этого увеличить вольтовую чувствительность классических фоторезисторов и время накопления сигнала в фоторезисторах типа “SPRITE”. Приведены параметры фотоприемников.

Содержание