Прикладная физика
N 6, 2002

Пороговые характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки PtSi-p-Si с высоколегированным поверхностным слоем

А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, С.Н. Несмелов
Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, Томск, Россия

С.И. Ляпунов, Н.В. Комаров, А.Ю. Никифоров
Научно-производственное предприятие «Матричные технологии», Москва, Россия

   Рассмотрены возможности повышения пороговых характеристик детекторов на основе барьеров Шоттки PtSi-p-Si путем создания в кремнии поверхностного высоколегированного слоя короткоимпульсной имплантацией бора методом ядер отдачи. Определены параметры слоев и рабочие температуры, оптимальные для использования детекторов в спектральном диапазоне 3-5 мкм.

Содержание