Прикладная физика
N 6, 2002

Влияние ионизирующего излучения на основные характеристики охлаждаемых фоторезисторов на основе Cd_xHg_1-xTe

Э.Ю. Салаев, Д.Ш. Абдинов, К.А. Аскеров
Институт Фотоэлектроники НАН Азербайджана, г. Баку, Азербайджанская Республика

   Представлены результаты исследования влияния ионизирующих излучений различного вида на основные параметры, элементы, конструкции и конструкционные материалы фотоприемников на основе твердого раствора Cd_xHg_1-xTe. Установлено, что изменение основных параметров фоторезисторов в основном связано с изменением свойств фоточувствительных элементов. Получены прогнозированные данные о радиационной стойкости исследуемых типов фоторезисторов с рекомендациями их работы в условиях повышенной радиации в области ИК-спектра..

Содержание