Прикладная физика
N 1, 2003

Свойства фотодиодов Шоттки с туннельно-прозрачным диэлектриком
на основе Cd _xHg_1-xTe

Дамньанович В.
Горно-геологический факультет Университета в Белграде, Югославия

Пономаренко В.П.
ГУП "НПО"Орион"", Москва, Россия

   Приведены результаты исследования основных характеристик фотодиодов на основе Cd _xHg_1-xTe (КРТ) Р-типа со структурой металл-туннельно-прозрачный диэлектрик-полупроводник (МТДП-фотодиоды), на область спектра 8-11 мкм.

Содержание