Свойства барьеров Шоттки со структурой металл- туннельно-прозрачный диэлектрик p- Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te</td>

Прикладная физика
N 1, 2003

Свойства барьеров Шоттки со структурой металл-туннельно-прозрачный
диэлектрик p- Cd_xHg_1-xTe

Дамньанович В.
Горно-геологический факультет Университета в Белграде, Югославия

Пономаренко В.П.
ГУП "НПО"Орион"", Москва, Россия

Исследованы потенциальные барьеры в диодах Шоттки со структурой МТДП (металл -туннельно-прозрачный диэлектрик -полупроводник) на основе твердых растворов Cd _xHg_1-xTe (КРТ) с х~0,2. В качестве барьерного металла использовались: In, Ti,Mo,Al и Cr. Сверхтонкие диэлектрические слои создавались методом высокочастотного распыления мишени из Al₂O₃ в кислородсодержащей плазме либо методом плазменного фторирования поверхности КРТ во фторсодержащей плазме (ПФ КРТ).

Содержание