Прикладная физика
N 1, 2003

Фотоэлектрические параметры многоэлементных фотоприемников на основе 2х64 КРТ фотодиодных линеек и ПЗС-устройств считывания

А. Г. Голенков, В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов, В. В. Забудский
Институт физики полупроводников НАН Украины, г. Киев, Украина

   Проведены исследования фотоэлектрических параметров многоэлементных фотоприемников дальнего (8—10,5 мкм) ИК-диапазона на основе 2х64 фотодиодных линеек и ПЗС-устройств считывания. Проанализированы выходные сигналы ФПУ при различной фоновой нагрузке (температура фона — 10—50 °С) для различных режимов работы схем считывания. Измерение характеристик ФПУ включало в себя определение обнаружительной способности D*, температурного эквивалента шума NETD, красной границы фотоответа и некоторых других параметров фотоприемников. Изображение, полученное с использованием ФПУ данного типа в спектральном диапазоне 8—10,5 мкм, обладает хорошим качеством.

Содержание