Прикладная физика
N 1, 2003

Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки

Р. К. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Азербайджан

   Исследование температурной зависимости в интервале температур 132—387 К Ni-nSi Шоттки с различными диаметрами (10—1000 мкм) показало, что удовлетворительный вид вольт-амперных характеристик (ВАХ) диодов Шоттки (ДШ) сохраняется в ограниченных интервалах температур. Особенности температурной зависимости высоты барьера, коэффициента неидеальности, контактного сопротивления, безразмерного коэффициента и других параметров ДШ зависят от выбранного интервала температур и от геометрических размеров контакта.

Содержание