Прикладная физика
N 2, 2003

Продольная ИК-фотопроводимость в структурах с InGaAs квантовыми точками

В. И. Шашкин, А. В. Антонов, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов,
А. Ю. Лукьянов, Л. Д. Молдавская, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский
ИФМ РАН, Н. Новгород, Россия

В. С. Туловчиков
ННГУ, Н. Новгород, Россия

   Исследована ИК-фоточувствительность в селективно легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми точками, изготовленных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Условия роста оптимизировались с помощью методов атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции, фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии. Исследование спектральных характеристик фотопроводимости (ФП) проводилось на Фурье-спектрометре ВОМЕМ. В режиме нормального падения наблюдалась фотопроводимость в области 16 мкм при Т = 4,2 К и 6 мкм — при 77 К.

Содержание