Прикладная физика
N 2, 2003

Электронографические исследования поверхности гетероструктур PbSnTe-PbTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией

А. И. Дирочка, А. С. Кононов, П. С. Серебренников, Н. А. Сулейманов
Государственное унитарное предприятие «НПО "Орион"» — ГНЦ РФ, Москва, Россия

   Изучены структурные, электрические и оптические свойства пленочных гетеропереходов рPbSnTe-nPbTe, полученных конденсацией молекулярных пучков в вакууме~10-6 мм рт. ст. Установлено, что в зависимости от условия получения пленок (Тп, d) наблюдаемые диффузные полосы на электронограммах по интенсивности разные. Интенсивность диффузных полос, наблюдаемых на электронограммах, также зависит от температуры съемки (Тc). Найдена корреляция между интенсивностью диффузных полос, наблюдаемых на электронограммах, и фоточувствительностью гетеропереходов Pb1-xSnxTe-PbTe (x = 0,2).

Содержание