Прикладная физика
N 2, 2003

Поликристаллические слои сплава кремний—германий для неохлаждаемых болометрических приемников ИК-излучения

И. Б. Чистохин, И. П. Михайловский, Б. И. Фомин, Е. И. Черепов
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

   Поликристаллические слои Si_1-xGe_x, с различным содержанием германия, легированные бором, были получены методом молекулярно-лучевого осаждения на пленках окисла и нитрида кремния при температуре <500 °C. Изучены структурные свойства этого материала, измерены температурные зависимости сопротивления и спектры шумов. Показано, что температурный коэффициент сопротивления (ТКС) в поликристаллических слоях SiGe, осаждаемых на различные диэлектрические покрытия, достигает 3—4 % на градус и зависит от сопротивления слоя и размера зерна.

Содержание