Прикладная физика
N 2, 2003

Длительность фазы высокой обратной проводимости диодов
при линейном спаде прямого тока

П. Г. Дерменжи, А. Н. Думаневич, Ю. М. Локтаев, В. Я. Павлик
ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина", Москва, Россия

   Предложена методика точного численно-аналитического расчета длительности фазы высокой обратной проводимости t_s и амплитуды импульса переходного обратного тока Irrm в случае диодной структуры с резкими р⁺-n- и n⁺-n-переходами. Получено, что t_s и I_rrm возрастают (хотя и сублинейно) с увеличением времени жизни дырок в n-базе и скорости спада прямого тока. Показано, что зависимости граничных концентраций избыточных дырок в n-базе от времени весьма точно описываются параболическими функциями.

Содержание