Прикладная физика
N 3, 2003

Оптимальная структура низкофоновых фотодиодов на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te

А. Ю. Селяков, В. П. Пономаренко
Государственное унитарное предприятие «НПО "ОРИОН"» — ГНЦ РФ, Москва, Россия

   Проанализирована рекомбинация, связанная с туннелированием через ловушки в HgCdTe p—n-переходах различной структуры. Предложена оптимальная структура HgCdTe p—n-перехода, позволяющая подавить этот тип рекомбинации и эффект насыщения температурной зависимости дифференциального сопротивления в области низких температур.

Содержание