Прикладная физика
N 3, 2003

Особенности формирования диффузионных р—n-переходов в варизонных эпитаксиальных структурах на основе Сd_xHg_1-xТe

А. П. Власов, В. К. Писаревский, А. В. Шевченко
Львовский национальный университет им. Ив. Франко, г. Львов, Украина

А. Ю. Бончик
Львовский институт прикладных проблем механики и математики Академии наук Украины, г. Львов, Украина

А. Барч
Институт физики Польской академии наук, г. Варшава, Польша

   Представлены результаты исследований варизонных фоточувствительных структур, созданных на основе диффузионного легирования мышьяком Cd_xHg_1-xTe n-типа проводимости. Диффузионные профили распределения As определялись посредством SIMS-анализа. Определены эффективные коэффициенты диффузии Аs в монокристаллах Cd_xHg_1-xTe с незначительным градиентом состава в диффузионной области при Т = 550 °С. Исследованы спектральные и вольтамперные характеристики полученных варизонных фоточувствительных структур. Результаты проведенных экспериментов показывают высокую электроактивность As в рассматриваемых образцах.

Содержание