Фотоэлектрические параметры КРТ фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением
И. Ю. Ларцев, М. С. Никитин, Г. В. Чеканова
Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа", Москва, Россия
Представлены основные фотоэлектрические параметры миниатюрных фотоэлектрических полупроводниковых приемников (ФЭПП) на основе фоторезисторов (ФР) из материала кадмий—ртуть—теллур (КРТ). Разработана широкая номенклатура ФЭПП с трехкаскадным термоэлектрическим охладителем (ТЭО), обладающих предельно высокими значениями удельной обнаружительной способности и вольтовой чувствительности в диапазонах спектра от 3,0 до 5,5 мкм и от 7,5 до 10,6 мкм.
Содержание