Температурные зависимости токопрохождения по периферии контакта в диодах Шоттки
Р. К. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Азербайджан
Исследование температурной зависимости токопрохождения по периферии контакта в Ni—nSi-диодах Шоттки (ДШ) с диаметрами 10—1000 мкм в интервале температур 222—387 K показало, что удовлетворительный вид вольтамперной характеристики диодов Шоттки сохраняется в ограниченных интервалах температур. Особенности температурной зависимости высоты барьера, коэффициента неидеальности, контактного сопротивления, безразмерного коэффициента, ширины и площади активной периферийной контактной поверхности и других параметров периферийных областей диодов Шоттки зависят от выбранных интервалов температур.
Содержание