ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 4 Основан в 1994 г. Москва 2003


Третье поколение ИК-приемников на базе HgCdTe.
Часть I

А. Рогальский
Институт прикладной физики, Военно-технологический университет, г. Варшава, Польша

   До настоящего времени два семейства многоэлементных приемников на базе HgCdTe (КРТ) используются для военных и гражданских целей в ИК-области спектра: одно — для сканирующих систем (первое поколение), другое — для смотрящих систем (второе поколение). В общем понимании ИК-системы третьего поколения обладают лучшими возможностями: большее количество элементов изображения, большие скорости прохождения кадров, лучшее тепловое разрешение, а также многоцветные функциональные возможности и другие функции, обеспечиваемые с помощью микросхем. В статье рассмотрены вопросы, связанные с разработкой и эксплуатацией приемников третьего поколения на базе КРТ. Основные требования, направленные на создание устройств с многоцветными функциональными возможностями, касаются усложненных структур этих устройств, выращивания более толстых и многослойных материалов, большей трудоемкости при создании устройств, особенно когда увеличивается размер матрицы и уменьшается размер элемента изображения. Также описаны технические разработки, которые являются ключевыми для устройств третьего поколения: травление, эпитаксия из паровой фазы, концепции улучшенного считывания.

Содержание