Фотоэлектрические характеристики структур с квантовыми ямами, чувствительных в диапазоне 3—5 мкм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Л. М. Василевская, Ю. А. Кузнецов,
В. Б. Куликов, А. И. Хатунцев
ГУП «НПП "Пульсар"», Москва, Россия
И. В. Будкин, П. В. Булаев, И. Д. Залевский,
А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица,
А. В. Петровский
АО "Сигм-Плюс", Москва, Россия
Методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженном давлении были выращены полупроводниковые гетероструктуры (ГС) с множественными квантовыми ямами (МКЯ) для многоэлементных фотоприемников (ФП), работающих в спектральном диапазоне 3—5 мкм, на основе системы InGaAs/AlGaAs. Условия роста были оптимизированы для получения ГС повышенной однородности, пригодных для изготовления матричных ФП. Температура роста составила 750 °С, давление 60 мм рт. ст. Изготовленные тестовые ФП продемонстрировали обнаружительную способность D*= 5,65x109смxГц1/2xВт-1 в максимуме спектральной чувствительности на длине волны lmax= 5,2 мкм при температуре 77 К. Полученные результаты показывают потенциальную возможность использования гетероструктур на основе InGaAs/AlGaAs для изготовления матриц, фоточувствительных в области 3—5 мкм, с большим количеством элементов. Предложены пути дальнейшего улучшения параметров ФП.
Содержание