Распределение профилей радиационных дефектов при ионной имплантации варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев
Сибирский физико-технический институт при ТГУ, г. Томск, Россия
В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Х. Талипов
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Проведены исследования дозовых зависимостей распределения концентрации электронов при ионной имплантации ГЭС КРТ МЛЭ. Наблюдается хорошее качественное совпадение первых результатов по ионной имплантации в эпитаксиальных пленках и в объемном материале КРТ, но есть и количественные различия в получении максимальных значений дозовой зависимости концентрации электронов.
Содержание