ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 5 Основан в 1994 г. Москва 2003


Облучение высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев
Сибирский физико-технический институт при ТГУ, г. Томск, Россия

В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров, Н. Н. Михайлов
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

   Представлены первые результаты по исследованию радиационной стойкости гетероэпитаксиальных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ, к облучению высокоэнергетическими электронами (1—2 МэВ) при дозах облучения до 1016 см-2 и при воздействии гамма-квантами Co60 (Е ~ 1,25 МэВ, Ф = 105—107 Р). Полученные предварительные результаты позволяют говорить о высоком качестве исследуемых эпитаксиальных пленок КРТ.

Содержание