Результаты ионных обработок поверхности
при изготовлении pin-фотодиодов на кремнии
В. П. Астахов, И. А. Болесов, Е. Ф. Карпенко, В. В. Карпов, П. И. Лапин, К. В. Сорокин, Н. В. Филипенко
ОАО «Московский завод "Сапфир"», Москва, Россия
Исследовано влияние имплантационной обработки периферии n+-p-переходов на обратные ветви ВАХ квадрантных 8-площадочных pin-фотодиодов (ФД) с охранным кольцом ионами азота после удаления пленки SiO2, имплантационного подлегирования бором и мезатравления. Показано, что наилучший результат соответствует случаю обработки ионами азота после подлегирования поверхности p-областей.
Содержание