Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при больших обратных напряжениях
Р. К. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан
Исследовано токопрохождение в Ni—nSi-диодах Шоттки с диаметрами (10— 1000 мкм) в интервале температур 141—387 K при больших обратных напряжениях. Установлено, что при относительно больших напряжениях, приблизительно в 10 раз меньше истинного напряжения лавинного пробоя, обратный ток состоит в основном лишь из периферийных токов, и с ростом напряжения он начинает экспоненциально возрастать. Определены особенности температурной зависимости высоты барьера, контактного сопротивления, безразмерного коэффициента, ширины и площади активной поверхности и других параметров по периферии диодов Шоттки (ДШ).
Содержание