№ 6 | Основан в 1994 г. | Москва 2003 |
Переходные процессы в фотомишенях видиконов на основе МДП-структур, чувствительных к среднему ИК-излучению
А. В. Борошнев, Н. Ф. Ковтонюк
ЦНИИ "Комета", Москва, Россия
Дан анализ кинетики электронных процессов в МДП-структурах из узкозонных полупроводников, используемых в качестве фотомишеней видиконов, чувствительных в средней ИК-области. Рассмотрена возможность регулирования рабочей температуры ИК-фотомишени за счет создания в ней неравновесной обедненной области.