Исследование слоев МЛЭ КРТ методом сканирующей лазерной микроскопии
П. Ю. Пак, В. А. Фатеев, В. В. Шашкин
Институт физики полупроводников, г. Новосибирск, Россия
Методом сканирующей лазерной микроскопии (СЛМ) исследовано пространственное распределение электрически активных областей в МЛЭ-слоях HgCdTe (КРТ) составов х = 0,22 и х = 0,3, а также в массивах планарных фотодиодов на основе КРТ. Обнаружена корреляция между результатами СЛМ-исследования фрагмента массива планарных фотодиодов и их вольт-амперными характеристиками. Исследован характер распределения электрических неоднородностей в объеме эпитаксиальной пленки КРТ с помощью послойного стравливания. Сравнение СЛМ-изображения фрагмента МЛЭ КРТ с профилями пространственного распределения концентрации фоновых примесей (C, Cu, As, Li), полученными с помощью методики вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС), позволяет говорить о корреляции пространственного положения электрических неоднородностей с пространственным распределением фоновых примесей.
Содержание