Механизм образования источника диффузии ртути в p-Hg_1-xCd_xTe при ионно-лучевом травлении

В. В. Богобоящий
Кременчугский государственный политехнический университет, г. Кременчуг, Украина

И. И. Ижнин
НИИ материалов, Научно-производственное предприятие “Карат”, г. Львов, Украина

   На основе анализа процессов взаимодействия низкоэнергетических ионов Ar⁺ с поверхностью p-Cd_xHg_1-xТe при ионно-лучевом травлении (ИЛТ) предложен механизм образования источника диффузии ртути, обеспечивающий наблюдаемые при эксперименте гигантские скорости конверсии типа проводимости. Образование источника обусловлено релаксацией дефектов в подрешетке Hg — двукратно заряженных междоузельных атомов и вакансий ртути, а также нейтральных бивакансий ртути, образовавшихся в области теплового клина вследствие удара иона.

Содержание