Применение прецизионных ВАХ для исследования ИК-фоторезисторов Часть II. Влияние термообработки на свойства фоторезисторов из КРТ

Л. И. Дьяконов
Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа", Москва, Россия

   Методом прецизионных ВАХ изучено влияние нагрева на фоторезисторы (ФР), изготовленные по "стандартной" технологии из объемного КРТ. Фоточувствительные параметры ФР и динамику изменения кривых R = f (U), получаемых из ВАХ, измеряли до и после термообработок при температурах от 60 до 100 °С. По мере нарастания интенсивности термообработок снижается вольтовая чувствительность, приближаясь в пределе к нулевому значению. Одновременно кривые R = f (U) изменяют свою форму от исходной V-образной до конечной Л-образной для ФР, полностью потерявших чувствительность к ИК-излучению. Сильнее всего воздействует нагрев на свойства ФР с максимальной величиной темнового сопротивления, т. е. с минимальной толщиной слоя КРТ и минимальной концентрацией в нем нескомпенсированных доноров.

Содержание