Зависимости токопрохождения в диодах Шоттки от концентрации примесей полупроводника
Р. К. Мамедов
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан
Исследованы зависимости токопрохождения в Ni—nSi Шоттки с различными диаметрами (6–1000 мкм) от концентрации примесей кремния в интервале 3,3·1014—2,5·1017 см-3 при прямом и обратном направлениях. Особенности концентрационных зависимостей высоты барьера, коэффициента неидеальности, контактного сопротивления, безразмерного коэффициента и других электрофизических параметров диодов Шоттки (ДШ) определяются геометрическими размерами выпрямляющего контакта.
Содержание