Управление электрическими свойствами эвтектической композиции полупроводник—сверхпроводник
Г. И. Исаков
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, Азербайджан
Исследовались электрические свойства эвтектической композиции полупроводник—сверхпроводник (GaSb—V2Ga5), где при направленной кристаллизации V2Ga5 в матрице GaSb формируется в виде ориентированных сверхпроводящих вискеров. Показано, что в зависимости от угла между направлением тока и вискеров электрические свойства различных образцов из одного материала или же одного образца управляемы. В зависимости от скорости выращивания композиции плотность вискеров, расстояния между ними, их диаметры, критическая плотность сверхтoка в расчете на один вискер, критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние также управляемые.
Содержание